全光谱（软X射线/极紫外/可见/近红外）二极管探测器阵列
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器，以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点。
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号，采用40针双列式封装或者22针双列式封装，是电子检测的理想选择。有保护性盖板，以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²，AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。
| 型号 | 产品描述 | 通道数/有效面积（mm^2） | 响应度（A/W） | 上升时间(ns) | 电容(pF) |
| AXUV16ELG | 16通道二极管探测器 | 16通道，10mm^2(2*5mm) | 0.26@50nm | 500 | 700 |
| AXUV20ELG | 20通道二极管探测器 | 20通道，3mm^2(0.75*4.1mm) | 0.26@50nm | 200 | 1000 |
AXUV16/20ELG探测器电子能谱响应曲线
AXUV16/20ELG探测器极紫外-紫外光谱响应曲线
AXUV16/20ELG探测器紫外-可见-近红外光谱响应曲线
AXUV16ELG光电二极管阵列介绍 AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下，有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时，电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。
AXUV20ELG光电二极管阵列介绍 AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下，有效面积的典型值是3mm²，灵敏度见图，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V，最小值是20V。VR=0V时，电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。