分段/象限极紫外增强二极管探测器
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080"，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护光电二极管和导线连接。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好，噪音低，是电子探测的理想选择。
| 型号 | 产品描述 | 有限面积（mm^2） | 响应度（A/W） | 上升时间(ns) | 电容(pF) |
| AXUVPS7 | 四区域分段二极管电子探测器 | 36.5（每区域） | 0.26@50nm | 2000 | 6000 |
| ODD-3W-2 | 红光增强二极管探测器 | 3 | 0.6@900nm | 8 | 7.5 |
| SXUVPS4 | 四象限紫外增强二极管探测器 | 5 | 0.22@13.5nm | 1000 | 500 |
| SXUVPS4C | 四象限紫外增强二极管探测器 | 5 | 0.22@13.5nm | 1000 | 100 |
AXUVPS7光电二极管阵列介绍 在25°C时的电光特性，有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，最大值是0.09A/W。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为10欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压最小值是5V。VR=0V时，电容的典型值是2nF,最大值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω，上升时间最大值是2微秒。
AXUVPS7电子能谱响应曲线
AXUVPS7极紫外-紫外光谱响应曲线
AXUVPS7紫外-可见-近红外光谱响应曲线
AXUVPS7电容VS偏置电压曲线
AXUVPS7暗电流VS电压曲线
ODD-3W-2光电二极管阵列介绍 在VR=5 V测试条件下，暗电流典型值是0.9na，最大值是5na。VR=10 mV， 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz，结点电阻是30pF，当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时，反应性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，当λ=900nm, VR=0V时，反应性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。当IR=10μA，击穿电压最小值是25V，典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时，噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V，上升时间典型值为190纳秒，当RL=50Ω, VR=10V，上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。存储温度为-55°C~150°C，工作温度为-40°C~125°C，引线焊接温度是260°C。
ODD-3W-2紫外-可见-近红外光谱响应曲线
ODD-3W-2电容VS偏置电压曲线
ODD-3W-2暗电流VS电压曲线
SXUVPS4光电二极管阵列介绍 每象限有效面积的典型值是1.25mm²。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为100欧姆，当IR=1µA时，反向击穿电压最小值是20V。VR=0V时，电容的最大值是500pF。当VR=0V, RL=500Ω，上升时间最大值是1微秒。存储和工作温度与AXUVPS7分段光电二极管相同。
SXUVPS4C光电二极管阵列介绍 每象限有效面积的典型值是1.25mm²，在波长254nm时，响应性是0.02A/W。VR=±18V，暗电流典型值是1nA，最大值是100nA。当R=1µA时，反向击穿电压最小值是20V。VR=0V，电容典型值是100pF，最大值是300Pf。VR=0V时，上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系，暗电流与电压是正比的关系。
SXUVPS4&SXUVPS4C极紫外-紫外-可见-近红外光谱响应曲线
SXUVPS4&SXUVPS4C电容VS偏置电压曲线
SXUVPS4&SXUVPS4C暗电流VS电压曲线
